【時報-台北電】近期DDR4、DDR5報價急升，成熟製程記憶體不僅未因世代更替而走弱，反而出現「舊世代比新世代更貴」的罕見現象，外資巴克萊在最新車用半導體報告中示警，車用DRAM也出現缺口。

　巴克萊指出，全球DRAM短缺的根源，是AI資料中心對DRAM，特別是HBM需求急速升溫，迫使三星、SK海力士與美光等三大記憶體廠將產能優先轉向高毛利HBM，犧牲車用與消費性電子用的較低毛利DRAM。

　目前三大廠合計占全球DRAM市場約90％，供應車用DRAM約88％，但車用僅占其營收不到5％，在產能無法短期擴張下，車用DRAM自然將成為被擠壓的邊際市場。

　巴克萊預期，三大廠於2026年將全面轉向HBM，車用DRAM供給將持續承壓。

　從價格表現來看，DRAM漲勢已呈現非線性。依Bloomberg指數，截至2026年1月，DDR4年增率高達1,845％，相較2025年6月漲幅逾1,099％，甚至高於DDR5的465％，顯示成熟製程DRAM已不再遵循傳統技術世代價格曲線，而是進入「供給受控型價格爆發」階段。

　巴克萊指出，原先市場預期車用DRAM在2026～2027年的價格漲幅為30～100％，但實際現貨價格已遠高於此水準，顯示原先預估過於保守。巴克萊進一步指出，DRAM成本對電動車的影響遠高於燃油車，對中階EV（如Tesla Model 3／Y）甚至可能上升至整車BoM約1％。

　在極端情境下，若DRAM價格年增500％，高階EV單車DRAM成本可能由2025年的200美元升至1,200美元，單車成本承壓高達1,000美元。

　在OEM中，Tesla與Rivian被視為最曝險者，因其採用Zonal／中央運算架構與高階ADAS系統，DRAM含量顯著高於傳統車廠。S&P亦指出，Tesla為全球DRAM單車價值最高的OEM。

　其次為BMW、Audi與Mercedes等德系豪華品牌。(新聞來源 : 工商時報一李娟萍／台北報導)